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دیتاشیت - ARK - N-Channel MOSFET

شماره قطعه FTP06N40
شرح مفصل N-Channel MOSFET
تولید کننده ARK 
آرم ARK 


1 Page

		

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FTP06N40 شرح
400V N 沟道 MOS 场效应管
产品特点
¾ 低的导通电阻
¾ 低的栅极电荷(典型值为18.6nC)
¾ 开关速度快
¾ 100%雪崩测试
¾ 符合RoHS标准/无铅封装
FTP06N40/FTA06N40
BVDSS
400V
RDS(ON) (Max.)
1.0
ID
5.5A
产品应用
¾ 高效开关电源
¾ 适配器/充电器
¾ 有源功率因数校正
¾ 液晶面板电源
订购代码
器件型号
FTP06N40
FTA06N40
封装形式
TO-220
TO-220F
标识
FTP06N40
FTA06N40
极限值
除非另有说明,均指TC=25
符号
VDSS
ID
ID@100
IDM
PD
VGS
参数描述
漏极-源极电压[1]
漏极电流连续值(TC=25℃)
漏极电流连续值(TC=100℃)
漏极电流脉冲值[2]
功耗(TC=25℃)
功耗降额因子(TC25℃)
栅极-源极电压
FTP06N40
FTA06N40
www.DataSheet.net/
400
5.5 5.5*
Figure 3
Figure 6
95 25
0.76 0.2
±30
EAS
dv/dt
TL
单脉冲雪崩能量 L=18mH, ID=5.5A
二极管反向恢复dv/dt尖峰值[3]
焊接温度
(距离管壳1.6mm处,10)
270
4.5
300
TJ TSTG 结温和储存温度
-55 to 150
*漏极电流受最高结温的限制.
注意:施加的电的或热的应力大于“极限值”表中所列参数值,可能导致器件永久的损坏。
单位
V
A
W
W/
V
mJ
V/ns
热特性
符号
RθJC
RθJA
-管壳热阻
-环境热阻
参数描述
FTP06N40
1.32
65
FTA06N40
5.0
65
单位
/W
成都方舟微电子有限公司
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