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PDF RB501VM-40 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza RB501VM-40
Descripción Schottky Barrier Diode
Fabricantes ROHM Semiconductor 
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Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RB501VM-40
Applications
Low current rectification
Dimensions (Unit : mm)
1.25±0.1
0.1±0.1
    0.05
Land size figure (Unit : mm)
0.9MIN.
Features
1)Small mold type. (UMD2)
2)High reliability
Construction
Silicon epitaxial planer
UMD2
0.3±0.05
0.7±0.2
    0.1
ROHM : UMD2
JEDEC : SOD-323
JEITA : SC-90/A
dot (year week factory)
Structure
Taping dimensions (Unit : mm)
4.0±0.1 2.0±0.05
φ1.55±0.05
0.3±0.1
www.DataSheet.co.kr
1.40±0.1
4.0±0.1
φ1.05
1.0±0.1
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
VRM
VR
Io
Forward current surge peak (60Hz1cyc)
Junction temperature
IFSM
Tj
Storage temperature
Tstg
Limits
45
40
100
1
125
- 40 to +125
Electrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max.
Forward voltage
Reverse current
VF1 -
VF2 -
IR -
- 0.55
- 0.34
- 30
Capacitance between terminals
Ct
- 6.0 -
Unit
V
V
mA
A
°C
°C
Unit Conditions
V IF=100mA
V IF=10mA
μA VR=10V
pF VR=10V , f=1MHz
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/4
2011.11 - Rev.A
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Notes
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
RB501VM-40Schottky Barrier DiodeROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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