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PDF 2SC898 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SC898
Descripción Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC898
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V (Min)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 6A
APPLICATIONS
·Designed for amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
150 V
www.DataSheet.co.kr
150 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
7A
80 W
150 ℃
-55~150 ℃
isc Website：www.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SC892NPN Silicon TransistorETC
ETC
2SC898Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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