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PDF IPB60R600CP Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IPB60R600CP
Descripción Power Transistor
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



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No Preview Available ! IPB60R600CP Hoja de datos, Descripción, Manual

CoolMOSTM Power Transistor
Features
• Lowest figure-of-merit RON x Qg
• Ultra low gate charge
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary
V DS @ Tj,max
R DS(on),max @ Tj =25°C
Q g,typ
IPB60R600CP
650 V
0.6
21 nC
PG-TO263
CoolMOS CP is designed for:
• Hard switching SMPS topologies
Type
IPB60R600CP
Package
PG-TO263
Marking
6R600P
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
2),3)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
2),3)
AR
MOSFET dv /dt ruggedness
Gate source voltage
ID
I D,pulse
E AS
E AR
I AR
dv /dt
V GS
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=2.2 A, V DD=50 V
I D=2.2 A, V DD=50 V
V DS=0...480 V
static
AC (f >1 Hz)
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
www.DRateavS.h2e.e0t4U.net
page 1
Value
6.1
3.8
15
144
0.2
2.2
50
±20
±30
60
-55 ... 150
Unit
A
mJ
A
V/ns
V
W
°C
2008-02-15

1 page




IPB60R600CP pdf
5 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=150 °C
parameter: V GS
12
10
20 V
8
10 V
8V
7V 6V
5.5 V
5V
6
4 4.5 V
2
IPB60R600CP
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on)=f(I D); T j=150 °C
parameter: V GS
2.8
7V
6.5 V
2.4
6V
5.5 V
2
20 V
5V
1.6
0
0 5 10 15
V DS [V]
7 Drain-source on-state resistance
R DS(on)=f(T j); I D=3.3 A; V GS=10 V
20
1.8
1.2
25 0 3 6 9
I D [A]
8 Typ. transfer characteristics
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max
parameter: T j
24
12 15
1.6
20
C °25
1.4
16
1.2
1
0.8
98 %
typ
0.6
0.4
12
C °150
8
4
0.2
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
0
0 2 4 6 8 10
V GS [V]
Rev.2.0
page 5
2008-02-15

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet IPB60R600CP.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IPB60R600C6MOSFET ( Transistor )Infineon Technologies
Infineon Technologies
IPB60R600CPPower TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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