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PDF 2SD1105 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD1105 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor Company | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD1105
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V (Min)
·Wide Area of Safe Operation
·High Power and High Reliability
APPLICATIONS
·Designed for high power AF amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
120 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
15 A
IBB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
30 A
200 W
150 ℃
-65~150 ℃
isc Website：www.iscsemi.cn
www.DataSheet.in
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD110 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor Company |
| 2SD1101 | Silicon NPN Epitaxial |  Hitachi Semiconductor |
| 2SD1101 | Silicon NPN Epitaxial |  Guangdong Kexin Industrial |
| 2SD1101 | Silicon NPN Epitaxial |  Renesas |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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