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PDF PDMB150BS12 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | PDMB150BS12 | |
| Descripción | IGBT MODULE | |
| Fabricantes | Nihon Inter Electronics Corporation | |
| Logotipo |  |
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
１５０ Ａ，１２００Ｖ
QS043-402-20382（2/5）
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(C2E1)
1
(E2)
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
123
2-Ø6.5
7
6
3-M5
23.0
5
4
23.0 17.0
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
LABEL
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
コレク
Ｃollector
コレク
Ｃollector
タ電流
Ｃurrent
タ損失
Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
保存温度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
ＶＩＳＯ
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｆｔｏｒ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
±２０
１５０
３００
７６５
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
３（３０.６）
２（２０.４）
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
－ － .ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V
－ ２.３ ２.７ Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA
４.０ － ８.０ Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－ 8,300 －
ｐＦ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 4.0Ω
ＲG= 10.0Ω
ＶＧＥ= ±15V
－ ０.２５ ０.４５
－
－
０.４０ ０.７０
０.２５ ０.３５
μｓ
－ ０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順電流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＦ
ＩＦＭ
１５０
３００
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順電圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＦ
ｔｒｒ
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 300A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱抵抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒth(j-c)
Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
２．２
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
２.６
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
－
０.１６３
０.３２７
℃／Ｗ
www.DataSheet.in
日本インター株式会社
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| PDMB150BS12 | IGBT MODULE | Nihon Inter Electronics Corporation |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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