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Número de pieza | PDMB100BS12C | |
Descripción | IGBT MODULE | |
Fabricantes | Nihon Inter Electronics Corporation | |
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□ 回 路 図 : CIRCUIT
(C2E1)
1
(E2)
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
100 A,1200V
QS043-402-20381(2/5)
PDMB100BS12
PDMB100BS12C
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
123
2-Ø6.5
7
6
94
80 ± 0 .2 5
12 11 12 11 12
12 3
2-Ø 5.5
7
6
3-M5
23.0
5
4
23.0 17.0
3-M5
5
4
23 23 17
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
16 7 16 7 16
4-fasten tab
#110 t= 0.5
LABEL
LABEL
PDMB100BS12
PDMB100BS12C
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
DC
1ms
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
PC
Rated Value
1,200
±20
100
200
600
Unit
V
V
A
W
接合温度
Junction Temperature Range
Tj
-40~+150
℃
保存温度
Storage Temperature Range
Tstg
-40~+125
℃
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
VISO
Ftor
2,500
V(RMS)
PDMB100BS12 3(30.6)
2(20.4)
PDMB100BS12C
2(20.4) N・m
2(20.4) (kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
Symbol Test Condition
ICES
VCE= 1200V,VGE= 0V
IGES
VGE= ±20V,VCE= 0V
Min.
-
Typ.
-
Max. Unit
0 mA
-
-
1.0
μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC= 100A,VGE= 15V
- 2.3 2.7 V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th)
VCE= 5V,IC= 100mA
4.0 - 8.0 V
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
Cies
tr
ton
tf
toff
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
VCC= 600V
RL= 6.0Ω
RG= 15.0Ω
VGE= ±15V
- 6,300 -
pF
- 0.25 0.45
-
-
0.40 0.70
0.25 0.35
μs
- 0.80 1.10
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
順電流
Forward Current
Item
DC
1ms
Symbol
IF
IFM
Rated Value
100
200
Unit
A
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol Test Condition
VF
trr
IF= 100A,VGE= 0V
IF= 100A,VGE= -10V
di/dt= 200A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol Test Condition
Rth(j-c)
Junction to Case
(Tc測定点チップ直下)
Min.
-
Typ.
2.2
Max. Unit
2.6
V
-
0.2 0.3
μs
Min.
-
-
Typ. Max. Unit
-
-
0.208
0.428
℃/W
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日本インター株式会社
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
PDMB100BS12 | IGBT MODULE | Nihon Inter Electronics Corporation |
PDMB100BS12C | IGBT MODULE | Nihon Inter Electronics Corporation |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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