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PDF 2SD1126 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1126
Descripción Silicon NPN Darlington Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1126 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1126
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 120V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min) @IC= 5A
·Low Saturation Voltage
APPLICATIONS
·Designed for power switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
i.cnSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
.iscsemVCBO
Collector-Base Voltage
120 V
wwwVCEO
Collector-Emitter Voltage
120 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous 10 A
ICP Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25℃
TJ Junction Temperature
15 A
50 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD1126Silicon NPN Triple DiffusedHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SD1126Silicon NPN Darlington Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1126Silicon NPN Triple DiffusedRenesas
Renesas
2SD1126KSilicon NPN Triple DiffusedHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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