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PDF KDS3512 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza KDS3512
Descripción 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
Fabricantes Guangdong Kexin Industrial 
Logotipo Guangdong Kexin Industrial Logotipo



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SMD Type
80V N-Channel PowerTrench MOSFET
KDS3512
Features
4.0 A, 80 V. RDS(ON) = 70m @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 80m @ VGS = 6 V
Low gate charge (13 nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability
ICIC
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current Continuous (Note 1a)
Drain Current Pulsed
Power dissipation
(Note 1a)
Power dissipation
(Note 1b)
Power dissipation
(Note 1c)
Operating and Storage Temperature
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1a)
Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)
Symbol
VDSS
VGS
ID
PD
TJ, TSTG
R JA
R JC
Rating
80
20
4
30
2.5
1.2
1
-55 to 175
50
25
Unit
V
V
A
A
W
/W
/W
www.kexin.com.cn 1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
KDS351280V N-Channel PowerTrench MOSFETGuangdong Kexin Industrial
Guangdong Kexin Industrial

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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