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FS50R06YL4 Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - eupec GmbH - IGBT-Module

شماره قطعه FS50R06YL4
شرح مفصل IGBT-Module
تولید کننده eupec GmbH 
آرم eupec GmbH 


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FS50R06YL4 شرح
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
www.DataSheet4U.com
FS50R06YL4
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Tc= 55°C
Tc= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 55°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
vorläufige Daten
preliminary data
600 V
50 A
55 A
100 A
202 W
+20 V
50 A
100 A
630 A²s
2,5 kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 1mA
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
VCEsat
min.
-
-
VGE(th)
4,5
typ.
1,95
2,20
5,5
max.
2,55
-
6,5
V
V
V
QG - 0,3 - µC
Cies - 2,2 - nF
Cres - 0,2 - nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: P. Kanschat
approved: R. Keggenhoff
date of publication: 2002-11-25
revision: 2.1
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