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Numéro de référence | FB10R06KL4GB1 | ||
Description | IGBT-Modules | ||
Fabricant | eupec GmbH | ||
Logo | |||
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4GB1
Elektrische Eigenschaften /electrical properties
Höchstzulässige Werte /maximum rated values
Vorläufig
preliminary
Diode Gleichrichter / diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj =25°C
VRRM
800
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
www.DataSheet4U.com
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC =80°C
TC =80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC =80°C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
TC =80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
IFRMSM
IRMSmax
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
23
25
197
158
194
125
600
10
15
20
55
+/- 20V
Diode Wechselrichter / diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
IF 10
IFRM
20
I2t 12
Transistor Brems-Chopper / transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC =80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, Tc=80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
600
10
15
20
55
+/- 20V
Diode Brems-Chopper / diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
IF
IFRM
10
20
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
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No | Description détaillée | Fabricant |
FB10R06KL4GB1 | IGBT-Modules | eupec GmbH |
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