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PDF HAT2137H Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | HAT2137H | |
| Descripción | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | |
| Fabricantes | Renesas Technology | |
| Logotipo |  |
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HAT2137H
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Features
• Capable of 7 V gate drive
www.DataSheet•4U.cLoomw drive current
• High density mounting
• Low on-resistance
RDS (on) = 3.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
Outline
RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A
(Package name: LFPAK)
5
1234
4
G
5
D
S SS
1 23
REJ03G1191-0400
(Previous: ADE-208-1579B)
Rev.4.00
Sep 07, 2005
1, 2, 3
4
5
Source
Gate
Drain
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
1 page  
HAT2137H
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
10 V
30 5 V VGS = 0
20
www.DataSheet4U.com
10
Pulse Test
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
100
IAP = 30 A
VDD = 15 V
80 duty < 0.1 %
Rg ≥ 50 Ω
60
40
20
0
25 50
75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
D=1
Tc = 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
1shot pulse
0.01
10 µ 100 µ
θch – c (t) = γ s (t) • θch – c
θch – c = 4.17°C/W, Tc = 25°C
PDM
D = PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
VDS
Monitor
Rg
50 Ω
L
IAP
Monitor
D.U.T
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • IAP2 •
VDSS
VDSS – VDD
IAP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| HAT2137H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | Renesas Technology |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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