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PDF NTE5556 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE5556 | |
| Descripción | (NTE5550 - NTE5558) Silicon Controlled Rectifiers | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE5550 thru NTE5558
Silicon Controlled Rectifiers
Description:
The NTE5550 thru NTE5558 SCR’s are designed primarily for half–wave AC control applications,
such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits.
Features:
D Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability.
D Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation
and Durability.
D Blocking Voltage to 800 Volts
D 300A Surge Current Capability
Absolute Maximum Ratings:
Peak Reverse Blocking Voltage (Note 1), VRRM
NTE5550 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
NTE5552 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5554 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5556 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5558 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Forward Current (TC = +85°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
(All Conduction Angles), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
Peak Non–Repetitive Surge Current (8.3ms), ITSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A
(1/2 Cycle, Sine Wave, 1.5ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350A
Forward Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
Forward Average Gate Power, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W
Forward Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W
Note 1. VRRM for all types can be applied on a continuous dc basis without incurring damage.
Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for block-
ing capability in a manner such that the voltage supplied exceeds the rated blocking
voltage.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE555 | Silicon Pin Diode UHF/VHF Detector |  NTE |
| NTE5550 | Silicon Controlled Rectifiers | NTE |
| NTE5550 | (NTE5550 - NTE5558) Silicon Controlled Rectifiers | NTE Electronics |
| NTE5552 | (NTE5550 - NTE5558) Silicon Controlled Rectifiers | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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