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PDF GSBC807 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GSBC807 | |
| Descripción | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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ISSUED DATE :2005/06/08
REVISED DATE :
GSBC807
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GSBC807 is designed for switching and AF amplifier application, suitable for driver storages and low power output storages.
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Total Power Dissipation
PD
Characteristics at
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVCES
BVEBO
ICES
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(on)
*hFE
fT
Cob
Min.
-50
-45
-50
-5
-
-
-
-
100
-
-
Ta = 25
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
Max.
-
-
-
-
-100
-100
-700
-1.2
630
-
12
Classification Of hFE
Rank
Range
9FA
100 - 250
9FB
160 - 400
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Ratings
+150
-55 ~ +150
-50
-45
-5
800
225
Unit
V
V
V
mA
mW
Unit
V
V
V
V
nA
nA
mV
V
MHz
pF
Test Conditions
IC=-100uA
IC=-10mA
IC=-100uA
IE=-100uA
VCE=-25V
VEB=-4V
IC=-500mA, IB=-50mA
VCE=-1V, IC=-300mA
VCE=-1V, IC=-100mA
VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz
VCB=-10V, f=1MHz, IE=0A
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
9FC
250 - 630
1/2
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GSBC807 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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