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PDF NTE359 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE359 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF & Microwave Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE359
Silicon NPN Transistor
RF & Microwave Transistor
Description:
RF Power Transistor 20W − 175 MHz
Features:
Specified 28 Volt, 175MHz Characteristics
Output Power = 20 Watts
Minimum Gain = 8.2dB
Efficiency = 60%
Characterized from 125 to 175MHz
Includes Series Equivalent Impedances
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Collector−Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V
Emitter−Base Voltage, Veb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current−Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Total Device Dissipation @ 25°C, Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to °C +200
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to °C +200
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Off Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Emitter−Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
On Characteristics
V(Br)CEO
V(Br)CES
V(Br)ebo
ICBO
IC = 200mA, IB = 0, Note 1
IC = 200mA, VBE = 0
IE = 10mA, IC = 0
VCB = 30 V, IE = 0
DC Current Gain
Hfe IC = 200mA, VCE = 5.0V
Note 1. Pulsed through 25mH inductor
Min Typ Max Unit
− 35 − V
− 65 − V
−4 −V
− 1 − mA
−5 − −
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE350 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / Driver | NTE |
| NTE351 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / Driver | NTE |
| NTE352 | Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount) | NTE |
| NTE353 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 4W @ 175MHz | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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