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PDF NTE28 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE28 | |
| Descripción | Germanium PNP Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE28
Germanium PNP Transistor
High Current, High Gain Amplifier
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Collector−Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector−Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter−Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Collector Current−Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +110°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +110°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 1A, IB = 0, Note 1
45 − − V
V(BR)CES IC = 300mA, VBE = 0
60 − − V
Floating Potential
VEBF VCB = 60V, IE = 0
− − 0.5 V
Collector Cutoff Current
ICEX VCE = 45V, VBE(off) = 2V, TC = +71°C −
− 15 mA
ICBO VCB = 2V, IE = 0
− − 0.2 mA
VCB = 60V, IE = 0
− − 4.0 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VBE = 30V, IC = 0
− − 4.0 mA
VBE = 30V, IC = 0, TC = +71°C
− − 15 mA
ON Characteristics (Note 1)
DC Current Gain
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter Saturation Voltage
Small−Signal Characteristics
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
IC = 15A, VCE = 2V
IC = 60A, VCE = 2V
IC = 15A, IB = 1A
IC = 60A, IB = 6A
IC = 15A, IB = 1A
IC = 60A, IB = 6A
60 − 180
15 −
−
− − 0.15 V
− − 0.3 V
− − 0.6 V
− − 1.0 V
Common−Emitter Cutoff Frequency
fαe IC = 15A, VCE = 2V
2 − − kHz
Note 1. To avoid excessive heating of the collector junction, perform test with pulse method.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE20 | Silicon Complementary Transistors High Power / Low Collector Saturation Voltage Power Output | NTE |
| NTE2000 | (NTExxxx) Linear Integrated Circuits |  NTE Electronics |
| NTE2001 | (NTExxxx) Linear Integrated Circuits | NTE Electronics |
| NTE2003 | Integrated Circuit Dolby B-Type Noise Reduction Processor | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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