|
|
Número de pieza | NTE2996 | |
Descripción | Enhancement Mode High Speed Switch | |
Fabricantes | NTE Electronics | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE2996 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 3 Páginas | ||
No Preview Available ! NTE2996
MOSFET
N−Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Ultra Low On−Resistance
D Dynamic dv/dt Rating
D +175°C Operating Temperature
D Fast Switching
D Fully Avalanche Rated
Absolute Maximum Ratings:
Drainwww.DataSheet4U.com Current, ID
Continuous (VGS = 10V)
TC = +25°C (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59A
Pulsed (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330A
Total
PDowerearteDiAssbiopvaetio2n5°(CTC.
=
..
+25°C),
.......
.P.D.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . 200W
1.4W/°C
Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Single Pulsed Avalanche Energy (IAS = 50A, L = 260µH, Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mJ
Avalanche Current (Note 2), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Repetitive Avalanche Energy (Note 2), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +175°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . +300°C
Maximum Thermal Resistance:
JJuunnccttiioonn−−ttoo−−CAmasbeie, nRtt,hRJCthJ.A.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
0.75°C/W
. . 62°C/W
Typical Thermal Resistance, Case−to−Sink (Flat, greased surface), RthCS . . . . . . . . . . . . 0.50°C/W
Note 1. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package
limitation current is 75A.
Note 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 3. This is a calculated value limited to TJ = +175°C.
Note 4. ISD ≤ 50A, di/dt ≤ 230A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ +175°C.
1 page |
Páginas | Total 3 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet NTE2996.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE299 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / Driver | NTE |
NTE2996 | Enhancement Mode High Speed Switch | NTE Electronics |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |