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PDF HAT2058R Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza HAT2058R
Descripción Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
Fabricantes Renesas Technology 
Logotipo Renesas Technology Logotipo



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HAT2058R/HAT2058RJ
Silicon N Channel Power MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
Capable of 4 V gate drive
Low drive current
High density mounting
“J” is for Automotive application
High temperature D-S leakage guarantee
Avalanche rating
Outline
SOP-8
78
DD
8 7 65
1 234
56
DD
24
GG
S1
MOS1
S3
MOS2
1, 3 Source
2, 4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
ADE-208-934 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001

1 page




HAT2058R pdf
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
1
Pulse Test
0.8
0.6
ID=4A
0.4
2A
0.2
1A
0 4 8 12 16 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
HAT2058R/HAT2058RJ
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.5
0.2 VGS = 4 V
0.1 10 V
0.05
0.02
Pulse Test
0.01
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
Drain Current ID (A)
50
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.5
Pulse Test
0.4
4A
0.3 ID =1, 2 A
0.2 V GS = 4 V
4A
1, 2A
0.1
10 V
0
-40 0 40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
50
20
Tc = -25°C
10
25°C
5
75°C
2
V DS = 10 V
1 Pulse Test
0.5
0.1
0.3 1 3 10 30
Drain Current ID (A)
100
5

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
HAT2058RSilicon N Channel Power MOS FET High Speed Power SwitchingRenesas Technology
Renesas Technology
HAT2058RJSilicon N Channel Power MOS FET High Speed Power SwitchingRenesas Technology
Renesas Technology

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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