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PDF HE8812SG Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | HE8812SG | |
| Descripción | GaAlAs Infrared Emitting Diode | |
| Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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HE8812SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
ODE-208-1000A (Z)
Rev.1
Jan. 2003
Description
The HE8812SG is a GaAlAs double heterojunction structure 870 nm band light emitting diode. It is
suitable for use as the light source in a wide range of optical control and sensing equipment.
Features
• High efficiency and high output power
Package Type
• HE8812: SG1
Internal Circuit
1
2
1 page  
Package Dimensions
HE8812SG
As of July, 2002
Unit: mm
φ 5.4 ± 0.2
φ 4.65 ± 0.2
φ 4.0 ± 0.2
2 Ð φ 0.45 ± 0.1
1
2.54 ± 0.35
1.0 ± 0.2
2
(2 – φ1.05)
45˚ ± 5˚
OPJ Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
IR/SG1
—
—
0.25 g
Rev.1, Jan. 2003, page 5 of 6
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| HE8812SG | GaAlAs Infrared Emitting Diode | Hitachi Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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