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PDF HE7601SG Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza HE7601SG
Descripción GaAlAs Infrared Emitting Diode
Fabricantes Hitachi 
Logotipo Hitachi Logotipo



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No Preview Available ! HE7601SG Hoja de datos, Descripción, Manual

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HE7601SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
ODE-208-996B (Z)
Rev.2
Mar. 2005
Description
The HE7601SG is a 770 nm band GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure.
It is suitable as a light source for optical control devices and sensors.
Features
High efficiency and high output power
Package Type
HE7601SG: SG1
Internal Circuit
1
2

1 page




HE7601SG pdf
Package Dimensions
HE7601SG
As of July, 2002
Unit: mm
φ 5.4 ± 0.2
φ 4.65 ± 0.2
φ 4.0 ± 0.2
2 Ð φ 0.45 ± 0.1
1
2.54 ± 0.35
1.0 ± 0.2
2
(2 – φ1.05)
45° ± 5°
OPJ Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
IR/SG1
0.25 g
Rev.2, Mar. 2005, page 5 of 6

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
HE7601SGGaAlAs Infrared Emitting DiodeHitachi
Hitachi

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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