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Número de pieza | FS75R12KE3G | |
Descripción | IGBT-Modules | |
Fabricantes | eupec GmbH | |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
vorläufige Daten
preliminary data
1200
75
100
150
350
+/- 20
75
150
1,19
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
kA²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 3mA
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min. typ. max.
VCEsat
-
-
1,7 2,1
2 t.b.d.
VGE(th)
5
5,8 6,5
V
V
V
QG - 0,7 - µC
Cies - 5,3 - nF
Cres - 0,2 - nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Mark Münzer
approved: Martin Hierholzer
date of publication: 2001-08-16
revision: 2
1 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
1 page Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorläufige Daten
preliminary data
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
IF= f(VF)
150
135
120
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
105
90
75
60
45
30
15
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
5 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
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PDF Descargar | [ Datasheet FS75R12KE3G.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
FS75R12KE3 | IGBT-Modules | eupec GmbH |
FS75R12KE3G | IGBT-Modules | eupec GmbH |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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