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Numéro de référence | BLH3356 | ||
Description | High-frequency low-noise NPN transistor | ||
Fabricant | SHANGHAI BELLING | ||
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www.DataSheet4U.com
BLH3356
高频低噪声 NPN 晶体管
描述:
BLH3356 是一种低噪声和高功率增益的硅外延 NPN 晶体管。
应用:
高频低噪声放大
工作条件 (T=25℃)
参数
BC 击穿电压
EC 击穿电压
EB 击穿电压
集电极电流
功耗
结温度
存储温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
极值
20
12
3
100
0.2
150
-65-+150
单位
V
V
V
mA
W
℃
℃
电学参数 (T=25℃)
参数
BC 击穿电压
EC 击穿电压
EB 击穿电压
集电极关断电流
发射极关断电流
直流增益
高频特性
特征频率
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
HFE*1
fT
最小
值.
20
12
3
90
典型 最大
值. 值
1
1
130 170
单位
条件
V IC=10uA
V IC=1mA
V IE=10uA
uA VCB=10V
uA VEB=1V
VCE= 10V, IC=20mA
5 GHz VCE=10V, IC=20mA
http://www.belling.com.cn
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Total 2 Pages
8/18/2006
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Pages | Pages 2 | ||
Télécharger | [ BLH3356 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
BLH3355 | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP | SHANGHAI BELLING |
BLH3356 | High-frequency low-noise NPN transistor | SHANGHAI BELLING |
BLH3356B | High-frequency low-noise NPN transistor | SHANGHAI BELLING |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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