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PDF 2SC3358 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC3358 | |
| Descripción | NPN Silicon Epitaxial Transistor | |
| Fabricantes | Unisonic Technologies | |
| Logotipo |  |
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UTC 2SC3358
NPN SILICON EPITAXIALTRANSISTOR
HIGH FREQUENCY LOW NOISE
AMPLIFIER
3
FEATURES
*Low Noise and High Gain
*High Power Gain
24
1
TO-50
1:COLLECTOR 2:EMITTER 3:BASE 4:EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATING
Collector-base voltage
VCBO
20
Collector-emitter voltage
VCEO
12
Emitter-base voltage
VEBO
3
Collector current
Ic 100
Total power dissipation
PT 250
Junction Temperature
Tj 150
Storage Temperature
Tstg -65 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain bandwidth Product
Feed-Back Capacitance
Noise figure
ICBO
VCB=10V, IE=0
IEBO VEB=1V, IC=0
hFE
VCE=10V, IC=20mA
50
fT VCE=10V, IC=20mA
Cre VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
NF VCE=10V, IC=7mA, f=1.0GHz
TYP
7
MAX
1.0
1.0
300
1.0
2.0
UNIT
µA
µA
GHz
pF
dB
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R212-001,A
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| PDF Descargar | [ Datasheet 2SC3358.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC3352 | SILICON POWER TRANSISTOR |  SavantIC |
| 2SC3353 | Power Transistor |  Inchange Semiconductor |
| 2SC3354 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing) |  Panasonic Semiconductor |
| 2SC3355 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |  NEC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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