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PDF NTE64 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE64 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor UHF High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE64
Silicon NPN Transistor
UHF High Speed Switch
Description:
The NTE64 is a silicon NPN high frequency transistor designed primarily for use in high–gain, low
noise small–signal amplifiers and applications requiring fast switching times.
Features:
D High Current Gain–Bandwidth Product: fT = 4.5GHz Typ @ IC = 15mA
D Low Noise Figure: NF = 2dB Typ @ f = 1GHz
D High Power Gain: Gpe = 10dB Min @ f = 1GHz
D Third Order Intercept: +23dBm Typ
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.375W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0
V(BR)CBO IC = 0.1mA, IE = 0
V(BR)EBO IE = 0.1mA, IC = 0
ICBO VCB = 15V, IE = 0
Min Typ Max Unit
15 – – V
25 – – V
2––V
– – 50 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE60 | Silicon Complementary Transistors High Power Audio / Disk Head Positioner for Linear Applications | NTE Electronics |
| NTE600 | Silicon Varistor Temperature Compensating Diode |  NTE |
| NTE600 | Diode ( Rectifier ) |  American Microsemiconductor |
| NTE6005 | Silicon Power Rectifier Diode / 40 Amp | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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