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NTE630 fiches techniques PDF

NTE Electronics - Silicon Rectifier Fast Recovery / Dual / Center Tap

Numéro de référence NTE630
Description Silicon Rectifier Fast Recovery / Dual / Center Tap
Fabricant NTE Electronics 
Logo NTE Electronics 





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NTE630 fiche technique
NTE629 & NTE630
Silicon Rectifier
Fast Recovery, Dual, Center Tap
Description:
The NTE629 and NTE630 are dual, fast recovery silicon rectifiers in a TO220 type package designed
for special applications such as DC power supplies, inverters, converters, ultrasonic systems, chop-
pers and low RF interference.
Features:
D Low Forward Voltage
D High Current Capability
D Fast Switching for High Efficiency
D High Surge Capacity
D Glass Passivated Chip Junction
Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM
NTE629 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE630 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM
NTE629 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE630 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
DC Blocking Voltage, VR
NTE629 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE630 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS Reverse Voltage, VR(RMS)
NTE629 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V
NTE630 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V
Average Rectifier Forward Current (Rated VR, TC = +150°C), IF(AV)
Per Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Total Device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
Non–Repetitive Peak Surge Current, IFSM
(8.3ms Single half Sine–Wave Superimposed on Rated Load) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250A
Operating Junction Temperature Range (Reverse Voltage Applied), TJ . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Storage Temperature Range (Reverse Voltage Applied), Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

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