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PDF NTE6090 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE6090 | |
| Descripción | Silicon Dual Power Rectifier | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE6090
Silicon Dual Power Rectifier
Description:
The NTE6090 is a silicon dual power rectifier in a TO3P/TO218 type package designed using the
Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal.
Features:
D Dual Diode Construction: Pin1 and Pin3 may be Connected for Parallel Operation at Full Range
D Guarding for Stress Protection
D Low Forward Voltage
D +150°C Operating Junction Temperature
D Guaranteed Reverse Avalanche
Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Average Rectified Forward Current (VR = 45V, TC = +105°C), IF(AV)
Per Device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Per Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Peak Repetitive Forward Current, Per Diode (VR = 45V, Square Wave, 20kHz), IFRM . . . . . . . . 30A
Non–Repetitive Peak Surge Current, IFSM
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60Hz) . . . . . . . . . . 200A
Peak Repetitive Reverse Current, Per Diode (2µs, 1kHz), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Peak Surge Junction Temperature (Forward Current Applied), TJ(pk) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
Voltage Rate of Change (VR = 45V), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V/µs
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W
Electrical Characteristics (Per Diode): (Note 1)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Instantaneous Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
vF iF = 20A, TC = +125°C
iF = 30A, TC = +125°C
iF = 30A, TC = +25°C
iR VR = 45V, TC = +125°C
VR = 45V, TC = +25°C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
– – 0.60 V
– – 0.72 V
– – 0.76 V
– – 100 mA
– – 1 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE6090 | Silicon Dual Power Rectifier | NTE Electronics |
| NTE6091 | Silicon Schottky Barrier Rectifier | NTE Electronics |
| NTE6092 | Silicon Schottky Barrier Rectifier | NTE Electronics |
| NTE6093 | Silicon Rectifier Dual / Schottky Barrier | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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