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Numéro de référence | NTE5967 | ||
Description | Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp | ||
Fabricant | NTE Electronics | ||
Logo | |||
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NTE5962 & NTE5963
NTE5966 & NTE5967
Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp
Features:
D 25 Amp @ TC = +100°C
D 300 Amp Surge Capability
D Rugged Construction
D Available in Standard (NTE5962, NTE5966) and Reverse (NTE5963, NTE5967) Polarity
Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
DC Blocking Voltage, VB
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
RMS Reverse Voltage, VR(RMS)
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560V
Average Rectified Forward Currnt (Single phase, resistive load, 60Hz, TC = +150°C), IO . . . . . 25A
Non–Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions), IFSM . . . . . . . . . 300A
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2°C/W
Note 1. Standard polarity is cathode to case, (*) indicated anode to case.
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Test Conditions
Instantaneous Forward Voltage vF iF = 57A, TJ = +25°C
Reverse Current
iR VRRM = Rated Voltage, TC = +25°C
Min Typ Max Unit
– – 1.7 V
– – 1.0 mA
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No | Description détaillée | Fabricant |
NTE596 | Silicon Diode / Dual / Common Anode / High Speed | NTE Electronics |
NTE596 | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
NTE5962 | Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp | NTE Electronics |
NTE5963 | Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp | NTE Electronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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