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PDF NTE5829 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE5829 | |
| Descripción | Silicon Power Rectifier Diode / 50 Amp | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE5826 thru NTE5829
Silicon Power Rectifier Diode, 50 Amp
Description:
The NTE5826 thru NTE5829 are silicon power rectifier diodes in a press–fit type package designed
for use in all medium–current applications or for higher current industrial alternators and chassis
mounted power supply rectifiers.
Features:
D 50 Amp @ TC = +150°C
D 600 Amp Surge Capability
D Rugged Construction
D Available in Standard (NTE5826, NTE5828) and Reverse (NTE5827, NTE5829) Polarity
Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM
NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM
NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
DC Blocking Voltage, VB
NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Non–Repetitive Peak Reverse Voltage, VRSM
NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V
NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850V
RMS Reverse Voltage, VR(RMS)
NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V
NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560V
Average Rectified Forward Currnt (Single phase, resistive load, TC = +150°C), IO . . . . . . . . . . 50A
Non–Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions), IFSM . . . . . . . . 600A
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +195°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +195°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8°C/W
Note 1. Standard polarity is cathode to case, (*) indicated anode to case.
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Instantaneous Forward Voltage vF iF = 157A, TJ = +25°C
– 1.10 1.18 V
iF = 50A, TJ = +25°C
– 0.95 1.00 V
Reverse Current
iR VRRM = Rated Voltage, TC = +25°C – 0.05 0.2 mA
VRRM = Rated Voltage, TC = +150°C – 1.0 2.0 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE5825 | Silicon Power Rectifier Stud Mount / Fast Recovery / 12 Amp | NTE Electronics |
| NTE5826 | Silicon Power Rectifier Diode / 50 Amp | NTE Electronics |
| NTE5826 | (NTE5826 - NTE5829) Silicon Power Rectifier Diode | NTE Electronics |
| NTE5827 | (NTE5826 - NTE5829) Silicon Power Rectifier Diode | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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