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Número de pieza | NTE473 | |
Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Driver | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
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No Preview Available ! NTE473
Silicon NPN Transistor
RF Power Driver
Description:
The NTE473 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for amplifier and oscillator
applications in military and industrial equipment. Suitable for use as output, driver or predriver stages
in VHF equipment.
Features:
D Specified 175MHz, 28V Characteristics:
Output Power: 2.5W
Minimum Gain: 10dB
Efficiency: 50%
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 200mA, IB = 0, Note 1
40 – – V
Emitter–Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 0.1mA, IC = 0
4––V
Collector Cutoff Current
ICEO VCE = 30V, IB = 0
– – 0.1 mA
ICEX VCE = 30V, VBE(off) = 1.5V, TC = +200°C –
– 5.0 mA
VCE = 65V, VBE(off) = 1.5V
– – 1.0 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VBE = 4V, IC = 0
– – 0.1 mA
Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.
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PDF Descargar | [ Datasheet NTE473.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE47 | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | NTE |
NTE470 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
NTE471 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz | NTE |
NTE472 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 1.8W @ 175MHz | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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