|
|
PDF NTE470 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE470 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Output | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE470 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE470
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE470 is a silicon NPN RF transistor in a W52 type package designed primarily for application
as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30MHz.
Features:
D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:
Output Power = 100W (PEP)
Minimum Gain = 10dB
Efficiency
= 40%
D Intermodulation Distortion @ 100W (PEP): IMD = –30dB Min
D 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Withstand Current (10s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.66W/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 50mA, IB = 0
V(BR)CES IC = 200mA, VBE = 0
V(BR)CBO IC = 200mA, IE = 0
V(BR)EBO IE = 10mA, IC = 0
ICES VCE = 16V, VBE = 0, TC = +25°C
Min Typ Max Unit
20 – – V
45 – – V
45 – – V
3––V
– – 10 mA
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE470.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE47 | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | NTE |
| NTE470 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| NTE471 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz | NTE |
| NTE472 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 1.8W @ 175MHz | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |