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PDF NTE469 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE469 | |
| Descripción | Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper / High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE469
Silicon N–Channel JFET Transistor
Chopper, High Speed Switch
Applications:
D Analog Switches
D Choppers
D Commutators
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.68mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
Drain Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)GS
S
IGSS
VGS(off)
ID(off)
IG = 1µA, VDS = 0
VGS = –15V, VDS = 0
VDS = 5V, ID = 1µA
VDS = 5V, VGS = –10V
Zero–Gate Voltage Drain Current
IDSS VDS = 15V, VGS = 0, Note 1
Static Drain–Source ON Resistance rDS(on) VDS = 0.1V
Drain–Gate ON Capacitance
Source–Gate ON Capacitance
Drain–Gate OFF Capacitance
Source–Gate OFF Capacitance
Cdg(on)
Csg(on)
Cdg(off)
Csg(off)
VDS = VGS = 0, f = 1MHz
VDS = VGS = 0, f = 1MHz
VGS = –10V, f = 1MHz
VGS = –10V, f = 1MHz
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 3%.
Min Typ Max Unit
35 – – V
– – –1.0 nA
–0.5 – –3.0 V
– – 1.0 nA
2.0 –
– mA
– – 100 Ω
– – 28 pF
– – 28 pF
– – 5 pF
– – 5 pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE46 | Silicon NPN Transistor Darlington / General Purpose Amplifier / Preamp / Driver | NTE |
| NTE460 | Silicon P-Channel JFET Transistor AF Amp | NTE |
| NTE464 | Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications | NTE |
| NTE465 | Silicon Complementary MOSFET Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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