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PDF NTE459 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE459 | |
| Descripción | N-Channel Silicon JFET Transistor AF Amplifier/Chopper/Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE459
N–Channel Silicon JFET Transistor
AF Amplifier/Chopper/Switch
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V
Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
Gate–Source Voltage
ON Characteristics
V(BR)GSS IG = –1µA, VDS = 0
IGSS VGS = –30V, VDS = 0
VGS = –30V, VDS = 0, TA = +150°C
VGS(off) ID = 0.5nA, VDS = 15V
VGS ID = 200µA, VDS = 15V
–50
–
–
–
–1
––
– –0.1
– –100
– –6
– –4
Zero–Gate–Voltage Drain Current
Small–Signal Characteristics
IDSS VDS = 15V, VGS = 0, Note 1
2 – 10
Forward Transfer Admittance
|yfs| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz,
Note 1
3000 – 6500
Output Admittance
VDS = 15V, VGS = 0, f = 100MHz 3000 –
|yos| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz,
Note 1
––
–
20
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Ciss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz
Crss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz
––6
––3
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 100ms, Duty Cycle ≤ 10%.
Unit
V
nA
nA
V
V
mA
µmho
µmho
µmho
pF
pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE451 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier | NTE |
| NTE452 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier / Mixer | NTE |
| NTE454 | MOSFET / N-Ch / Dual Gate / TV UHF/RF Amp / Gate Protected | NTE |
| NTE455 | N-Channel Silicon Dual-Gate MOS Field Effect Transistor |  NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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