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PDF NTE457 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE457 | |
| Descripción | Silicon N-Channel JFET Transistor General Purpose Amp / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE457
Silicon N–Channel JFET Transistor
General Purpose Amp, Switch
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25V
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.82mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
Gate–Source Voltage
ON Characteristics
V(BR)GS
S
IGSS
VGS(off)
VGS
IG = –10µA, VDS = 0
VGS = 15V, VDS = 0
VGS = 15V, VDS = 0, TA = +100°C
VDS = 15V, ID = 10nA
VDS = 15V, ID = 100µA
Zero–Gate Voltage Drain Current
Small–Signal Characteristics
IDSS VDS = 15V, VGS = 0, Note 1
Forward Transfer Admittance
Common Source
|yfs| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz,
Note 1
Output Admittance Common Source
|yos| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz,
Note 1
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Ciss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
Crss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
Min Typ Max Unit
–25 – –
V
– – –1 mA
– – –200 mA
–0.5 – –6.0 V
– – –2.5 V
1 3 5 mA
1000 – 5000 µmhos
– 10 50 µmhos
– 4.5 7.0
– 1.5 3.0
pF
pF
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 630ms, Duty Cycle ≤ 10%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE451 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier | NTE |
| NTE452 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier / Mixer | NTE |
| NTE454 | MOSFET / N-Ch / Dual Gate / TV UHF/RF Amp / Gate Protected | NTE |
| NTE455 | N-Channel Silicon Dual-Gate MOS Field Effect Transistor |  NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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