|
|
PDF NTE456 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE456 | |
| Descripción | N-Channel Silicon JFET General Purpose Amp / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE456 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE456
N–Channel Silicon JFET
General Purpose Amp, Switch
Description:
The NTE456 is an N–Channel junction silicon field–effect transistor in a TO72 type package designed
for general purpose amplifier and switching applications.
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Drain–Gate Voltge, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V
Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +200°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage V(BR)GSS VDS = 0, IG = –10µA
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
Gate–Source Voltage
IGSS
VGS(off)
VGS
VGS= –15V, VDS = 0
VGS= –15V, VDS = 0, TA = +150°C
VDS = 15V, ID = 0.1nA
VDS = 15V, ID = 200µA
ON Characteristics
Zero–Gate–Voltage Drain Current
Static Drain–Source On Resistance
IDSS
rDS(on)
VDS = 15V, VGS = 0
VDS = 0, VGS = 0
Min Typ Max Unit
–30 –
–
V
– – –0.1 nA
– – –100 nA
– – –6 V
–1.0 – –5.0 V
2.0 – 6.0
– 400 –
mA
Ω
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE456.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE451 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier | NTE |
| NTE452 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier / Mixer | NTE |
| NTE454 | MOSFET / N-Ch / Dual Gate / TV UHF/RF Amp / Gate Protected | NTE |
| NTE455 | N-Channel Silicon Dual-Gate MOS Field Effect Transistor |  NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |