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PDF NTE397 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE397 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor Power Amplifier & High Speed Switch (Compl to NTE396) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE397
Silicon PNP Transistor
Power Amplifier & High Speed Switch
(Compl to NTE396)
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17.5°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics
VCEO(sus)
ICBO
IEBO
IC = 50mA, IB = 0, Note 1
VCB = 280V, IE = 0
VEB = 6V, IC = 0
300 –
––
––
–V
50 µA
20 µA
DC Current Gain
Small–Signal Characteristics
hFE IC = 50mA, VCE = 10V
30 – 120
Output Capacitance
Input Capacitance
Small–Signal Current Gain
Real Part of Input Impedance
Cobo
Cibo
hfe
Re(hie)
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
VCB = 5V, IC = 0, f = 1MHz
IC = 10mA, VCE = 10V, f = 1MHz
VCE = 10V, IC = 5mA, f = 1MHz
–
–
25
–
– 15 pF
– 75 pF
––
– 300 Ω
Note 1. Pulse Test; Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
CAUTION: The sustaining voltage must not be measured on a curve tracer.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE39 | Silicon PNP Transistor Line-Operated Series Pass/Switching Regulator (Compl to NTE157) | NTE |
| NTE390 | Silicon Complementary Transistors General Purpose | NTE |
| NTE391 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE392 | Silicon Complementary Transistors General Purpose | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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