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PDF NTE387 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE387 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Power Amp / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE387
Silicon NPN Transistor
Power Amp, Switch
Features:
D High Collector–Emitter Sustaining Voltage
D High DC Current Gain
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage
D Fast Switching Times
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.70°C/W
Note 1. Matched pairs are available upon request (NTE387MP). Matched pairs have their gain
specification (hFE) matched to within 10% of each other.
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 50mA, IB = 0, Note 2
150 – – V
Collector Cutoff Current
ICEO VCE = 75V, IB = 0
– – 50 µA
ICEX VCE = 180V, VEB(off) = 1.5V
– – 10 µA
VCE = 180V, VEB(off) = 1.5V, TC = +150°C –
– 1.0 µA
Emitter Cutoff Current
IEBO VBE = 6V, IC = 0
– – 100 µA
Note 2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE38 | Silicon Complementary Transistors High Voltage / Medium Power Switch | NTE |
| NTE382 | Silicon Complementary Transistors Audio Frequency Driver | NTE |
| NTE383 | Silicon Complementary Transistors Audio Frequency Driver | NTE |
| NTE384 | Silicon NPN Transistor High Voltage Power Amp/Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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