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PDF NTE369 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE369 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor TV Vertical Deflection / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE369
Silicon NPN Transistor
TV Vertical Deflection, Switch
Description:
The NTE369 is an NPN transistor in a TO66 type case designed for high voltage inverters, converters,
regulators, and switching circuits.
Features:
D High Voltage: VCBO = 800V
D Gain Specified to 200mA
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Total Device Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)CEO
ICBO
IEBO
IC = 10mA, IB = 0
VCB = 800V
VEB = 6V, IC = 0
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Dynamic Characteristics
hFE IC = 200mA, VCE = 10V
VCE(sat) IC = 500mA, IB = 50mA
Current Gain–Bandwidth Product
fT IE = –100mA, VCE = 10V, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
400 – – V
– – 100 mA
– – 100 mA
30 – –
– – 5V
– 7 – MHz
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE36 | Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier / High Current Switch | NTE |
| NTE361 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz | NTE |
| NTE362 | Silicon NPN Transistor RF Power |  NTE Electronics |
| NTE363 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / PO = 4W | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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