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PDF NTE368 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE368 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 60W @ 512MHz | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE368
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
PO = 60W @ 512MHz
Description:
The NTE368 is a silicon NPN transistor designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications
in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.
Features:
D Specified 12.5 Volt, 470MHz Characteristic:
Output Power = 60 Watts
Minimum Gain = 4.4dB
Efficiency = 55%
D Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
D Built–In Matching Network for Broadband Operation
D Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @ 16–volt High Line
and Overdrive
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current–Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
ICES
IC = 50mA, IB = 0
IC = 50mA, VBE = 0
IE = 5mA, IC = 0
VCE = 15V, VBE = 0, TC = +25°C
16 – – V
36 – – V
4––V
– – 15 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE36 | Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier / High Current Switch | NTE |
| NTE361 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz | NTE |
| NTE362 | Silicon NPN Transistor RF Power |  NTE Electronics |
| NTE363 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / PO = 4W | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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