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PDF NTE363 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE363 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / PO = 4W | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE363
Silicon NPN Transistor
RF Power Amp, PO = 4W
Description:
The NTE363 is a 12.5V epitaxial silicon NPN planer transistor designed primarily for UHF commu-
nications.
Features:
D Designed for UHF Military and Commercial Equipment
D 4W (Min) with Greater than 8dB Gain
D Withstands Infinite VSWR Under Operating Conditions
D Low Inductance Stripline Package
D Emitter Stabilized
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Maximum Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.6°C/W
Electrical Characteristics:
Parameter
Collector–Emiter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Symbol
Test Conditions
V(BR)CEO IC = 100mA, IB = 0, Note 1
V(BR)CES IC = 100mA, IBE = 0, Note 1
V(BR)EBO IE = 2mA, IC = 0
ICBO VCB = 5V, IE = 0
hFE VCE = 5V, IC = 200mA
Note 1. Pulsed throught 25MH inductor.
Min Typ Max Unit
16 – – V
36 – – V
4––V
– – 1.0 mA
20 –
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE36 | Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier / High Current Switch | NTE |
| NTE361 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz | NTE |
| NTE362 | Silicon NPN Transistor RF Power |  NTE Electronics |
| NTE363 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / PO = 4W | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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