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Número de pieza | NTE346 | |
Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Transistor | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
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Silicon NPN Transistor
RF Power Transistor
Description:
The NTE346 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for amplifier, frequency mul-
tiplier, or oscillator applications in military and industrial equipment. Suitable for use as output driver
or pre–driver stages, in VHF and UHF equipment.
Features:
D Current–Gain–Bandwidth Product–fT = 500MHz (Min) @ IC = 50mAdc
D Power Gain–Gpe = 10dB (Min) @ VCE =12Vdc
D 1 Watt Minimum Power Output @ f = 175MHz
D Multiple–Emitter Construction for Excellent High–Frequency Performance
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0V
Collector Current–Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Base Current–Continuous. IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.71mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5Wa
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) IC = 5mA, IB = 0
VCER(sus) IC = 5mA, RBE = 10Ω
20 – – V
40 – – V
Collector Cutoff Current
ICEO
ICEV
VCE = 12V, IB = 0
VCE = 40V, VBE = –1.5V
VCE = 12V, VBE = –1.5V, TC = +150°C
–
–
–
– 0.02 mA
– 0.1 mA
– 5.0 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 2V, IC = 0
– – 0.1 mA
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PDF Descargar | [ Datasheet NTE346.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE340 | Silicon NPN Transistor RF Power Output / High Frequency | NTE |
NTE341 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
NTE342 | Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W / 175MHz) | NTE |
NTE343 | Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W / 175MHz) | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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