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PDF NTE337 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE337
Descripción Silicon NPN Transistor RF Power Amp / Driver
Fabricantes NTE 
Logotipo NTE Logotipo



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NTE337
Silicon NPN Transistor
RF Power Amp, Driver
Description:
The NTE337 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in large–
signal amplifier driver and pre–driver stages. This device is intended for use in industrial communica-
tions equipment operating at frequencies to 80MHz.
Features:
D Specified 12.5V, 50MHz Characteristics:
Output Power = 8W
Minimum Gain = 10dB
Efficiency = 50%
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 200mA, IB = 0, Note 1
18 –
–V
V(BR)CES IC = 50mA, VBE = 0, Note 1
36 –
–V
Emitter–Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE = 5mA, IC = 0
4 – –V
Collector Cutoff Current
ICES VCE = 15V, VBE = 0, TC = +125°C
– 10 mA
ICBO VCB = 15V, IE = 0
– – 1 mA
ON Characteristics
DC Current Gain
hFE IC = 500mA, VCE = 5V
5––
Note 1. Pulsed through a 25mH inductor.
Electrical Characteristics (Cont’d): (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
Cob VCB = 15V, IE = 0, f = 0.1 to 1MHz
Max Unit
90 pF

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PDF Descargar[ Datasheet NTE337.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE330Germanium PNP Transistor High Power SwitchNTE
NTE
NTE3300Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed SwitchNTE
NTE
NTE3301Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed SwitchNTE
NTE
NTE3302Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed SwitchNTE
NTE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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