|
|
PDF NTE3312 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE3312 | |
| Descripción | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE3312 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE3312
Insulated Gate Bipolar Transistor
N–Channel Enhancement Mode,
High Speed Switch
Features:
D High Input Impedance
D High Speed
D Low Saturation Voltage
D Enhancement Mode
Applications:
D High Power Switching
D Motor Control
Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Gate–Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Collector Current, IC
DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Gate Leakage Current
Collector Cutoff Current
IGES
ICES
VGE = ±20V, VCE = 0
VCE = 1200V, VGE = 0
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CES IC = 2mA, VGE = 0
Gate–Emitter Cutoff Voltage
VGE(off) IC = 8mA, VCE = 5V
Collector–Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Rise Time
Turn–On Time
VCE(sat)
Cies
tr
ton
IC = 8A, VGE = 15V
VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
VCC = 600V
Fall Time
tf
Turn–Off Time
toff
Min Typ Max Unit
– – ±500 nA
– – 1.0 mA
1200 – – V
3.0 – 6.0 V
– 3.0 4.0 V
– 1150 – pF
– 0.30 0.60 µs
– 0.40 0.80 µs
– 0.25 0.50 µs
– 0.80 1.50 µs
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE3312.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE331 | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp / Switch | NTE |
| NTE3310 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3311 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3312 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |