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PDF NTE328 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE328 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Power Amp / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE328
Silicon NPN Transistor
Power Amp, Switch
Description:
The NTE328 i a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for use in industrial power
amplifier and switching circuit applications.
Features:
D High Collector–Emitter Sustaining Voltage
D High DC Current Gain
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage
D Fast Switching Times
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.14W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.875°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 50mA, IB = 0, Note 1
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ICEX
ICEO
ICBO
IEBO
VCE = 120V, VBE(off) = 1.5V
VCE = 120V, VBE(off) = 1.5V, TC = +150°C
VCE = 60V, IB = 0
VCB = 180V, IE = 0
VBE = 6V, IC = 0
Note 1. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
120 – – V
– – 10 mA
– – 1.0 mA
– – 50 µA
– – 10 µA
– – 100 µA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE32 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE320 | Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz | NTE |
| NTE320F | Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz | NTE |
| NTE322 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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