DataSheet.es    


PDF NTE319P Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE319P
Descripción Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGC
Fabricantes NTE 
Logotipo NTE Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE319P (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 2 Páginas

No Preview Available ! NTE319P Hoja de datos, Descripción, Manual

NTE319P
Silicon NPN Transistor
VHF Amp w/Forward AGC
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +230°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Current Gain–Bandwidth Product
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
hFE
VCE(sat)
VCEO(sus)
fT
IC = 100µA, IE = 0
IE = 100µA, IC = 0
VCB = 20V, IE = 0
IC = 2mA, VCE = 10V
IC = 10mA, IB = 5mA
IC = 1mA, IB = 0
IC = 2mA, VCE = 10V,
f = 100MHz
Power Gain
Capacitance
Noise Figure
Gpe VBE = 2V, f = 45MHz
Ccb IE = 0, VCB = 10V, f = 1MHz
NF VBE = 2V, f = 45MHz
Min Typ Max Unit
20 – – V
3–– V
– – 50 nA
20 80 220
– – 2.75 V
20 – – V
300 – 500 MHz
27 29 – dB
– 0.13 0.22 pF
– 2.7 5.0 dB

1 page





PáginasTotal 2 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet NTE319P.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE319Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGCNTE
NTE
NTE319PSilicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGCNTE
NTE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar