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PDF NTE315 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE315 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor / Medium Power Amp | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE315
Silicon NPN Transistor,
Medium Power Amp
Features:
D AF – HF Medium Power Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–to–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector–to–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter–to–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Base Current. IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5A
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +120°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Base to Emitter Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
Small Signal Current Gain
Collector Output Capacitance
ICBO VCB = 25V, IE = 0
IEBO VEB = 6V, IC = 0
VBE VCE = 6V, IC = 5mA
VCEO(sus) IC = 2mA
VCE(sat) IC = 1A, IB = 50mA
VBE(sat) IC = 1A, IB = 50mA
hFE1 VCE = 2V, IC = 100mA
hFE2 VCE = 1V, IC = 1A
|hfe| VCB = 2V, IE = –10mA,
f = 10MHZ
CC VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHZ
Min Typ Max Unit
– – 0.2 µA
– – 0.2 µA
– – 0.7 V
50 – – V
– – 0.3 V
– – 1.0 V
199 – 649
70 – –
– 18 – dB
– 16 40 pf
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE31 | Silicon Complementary Transistors TV Sound Output / TV Vertical Output / AF Driver Output | NTE |
| NTE310 | Integrated Thyristor/Rectifier (ITR) TV Horizontal Deflection & Trace Switch | NTE |
| NTE3100 | Photon Coupled Interrupter Module | NTE |
| NTE3101 | Photon Coupled Interrupter Module NPN Darlington Output | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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