|
|
PDF NTE3122 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE3122 | |
| Descripción | Phototransistor Silicon NPN / Narrow Acceptance / High Sensitivity / Darlington | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE3122 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE3122
Phototransistor
Silicon NPN, Narrow Acceptance,
High Sensitivity, Darlington
Features:
D Epoxy Resin Package
D Narrow Acceptance: ∆q = ±13° Typ
D High Sensitivity: IC = 1.5mA Min @ Ee = 0.1mW/cm2
D Visible Light Cut–Off
Applications:
D VCRs, Cassette Tape Recorders
D Floppy Disk Drives
D Optoelectronic Switches
D Automatic Stroboscopes
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Collector Voltage, VECO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Collector Power Disspation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75mW
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25° to +85°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +85°C
Lead Temperature, TL
During Soldering, 1.4mm from bottom face of resin package, 5sec . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Current
IC VCE = 2V, Ee = 0.1mW/cm2,
Note 1
Collector Dark Current
ICBO VCE = 10V, Ee = 0
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 1.5mA, Ee = 1mW/cm2,
Note 1
1.5 – 4.0 mA
– – 10–6 A
– 0.7 1.0 V
Peak Emission Wavelength
Response Time (Rise)
Response Time (Fall)
λP – 860 – nm
tr VCE = 2V, IC = 10mA, RL = 100Ω – 80 – µs
tf – 70 – µs
Note 1. Ee: Irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp).
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE3122.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE312 | N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor | NTE |
| NTE3120 | Silicon NPN Phototransistor Detector | NTE |
| NTE3122 | Phototransistor Silicon NPN / Narrow Acceptance / High Sensitivity / Darlington | NTE |
| NTE3123 | Phototransistor Silicon NPN / Intermediate Acceptance / High Sensitivity / Darlington | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |