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PDF NTE2974 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2974 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2974
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Low On–State Resistance: RDS(on) = 1.1Ω Max (VGS = 10V, ID = 3A)
D Low Input Capacitance: Ciss = 1150pF Typ
D High Avalanche Capability Ratings
D Isolated TO220 Type Package
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Drain–to–Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Gate–to–Source Voltage, VGSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V
Drain Current, ID
DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±6.0A
Pulse (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±24A
Total Power Dissipation, PT
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0W
Single Avalanche Current (Note 2), IAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.0A
Single Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mJ
Channel Temperature, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Note 1. PW ≤ 10µs, Duty Cycle ≤ 1%.
Note 2. Starting Tch = +25°C, RG = 25Ω, VGS = 20V → 0.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Drain–to–Source On–State Resistance
Gate–to–Source Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain Leakage Current
Gate–to–Source Leakage Current
RDS(on)
VGS(off)
|yfs|
IDSS
IGSS
VGS = 10V, ID = 3A
VDS = 10V, ID = 1mA
VDS = 10V, ID = 3A
VDS = 600V, VGS = 0
VGS = ±30V, VDS = 0
Min Typ Max Unit
– 0.8 1.1 Ω
2.5 – 3.5 V
2.0 – – S
– – 100 µA
– – ±100 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE297 | Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier / Driver | NTE |
| NTE2970 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2971 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2972 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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