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Número de pieza | NTE2973 | |
Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
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No Preview Available ! NTE2973
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
D SMPS
D DC–DC Converter
D Battery Charger
D Power Supply of Printer
D Copier
D HDD, FDD, TV, VCR
D Personal Computer
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage (VGS = 0V), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V
Gate–Source Voltage (VDS = 0V), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V
Drain Current, ID
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42A
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275W
Channel Temperature Range, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Channel–to–Case, Rth(ch–c) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.45°C/W
Electrical Characteristics: (Tch = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Drain–Source Breakdown Voltage
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate–Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Threshold Voltage
Static Drain–Source ON Resistance
Drain–Source On–State Voltage
Forward Transfer Admittance
V(BR)DSS
V(BR)GSS
IGSS
IDSS
VGS(th)
RDS(on)
VDS(on)
|yfs|
VDS = 0V, ID = 1mA
VDS = 0V, IG = ±100µA
VGS = ±25V, VDS = 0V
VDS = 900V, VGS = 0
VDS = 10V, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 7A
VGS = 10V, ID = 7A
VGS = 10V, ID = 7A
Min Typ Max Unit
900 – – V
±30 – – V
– – ±10 µA
– – 1.0 mA
2.0 3.0 4.0 V
– 0.63 0.85 Ω
– 4.41 5.95 V
9 15 –
S
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PDF Descargar | [ Datasheet NTE2973.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE297 | Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier / Driver | NTE |
NTE2970 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
NTE2971 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
NTE2972 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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