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PDF NTE2930 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2930 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2930
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Avalanche Rugged Technology
D Rugged Gate Oxide Technology
D Lower Input Capacitance
D Improved Gate Charge
D Extended Safe Operating Area
D Lower RDS(on): 0.032Ω Typ
D Lower Leakage Current: 10µA (Max) @ VDS = 100V
Absolute Maximum Ratings:
Drain–to–Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Drain Current, ID
Continuous
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21.9A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.67W/°C
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 641mJ
Avalanche Current (Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. L = 1mH, IAS = 31A, VDD = 25V, RG = 27Ω, Starting TJ = +25°C.
Note 3. ISD ≤ 40A, di/dt ≤ 470A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Starting TJ = +25°C.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE293 | Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier and Driver | NTE |
| NTE2930 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2931 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2932 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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