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PDF NTE278 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE278 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Broadband RF Amp | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE278
Silicon NPN Transistor
Broadband RF Amp
Description:
The NTE278 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed specifically for broadband
applications requiring good linearity. Usable as a high frequency current mode switch to 200mA.
Features:
D Low Noise Figure: NF = 3.0dB Typ @ f = 200MHz
D High Current–Gain Bandwidth Product: fT = 1200MHz Min @ IC = 50mA
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Total Device Dissipation (TC = +75°C, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Note 1. Total Device Dissipation at TA = +25°C is 1 Watt.
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
VCEO(sus) IC = 5mA, IB = 0
VCER(sus) IC = 5mA, RBE = 10Ω, Note 2
ICEO VCE = 15V, IB = 0
ICEX VCE = 15V, VBE = –1.5V, TC = +150°C
VCE = 35V, VBE = –1.5V
IEBO VBE = 3V, IC = 0
20
40
–
–
–
–
––V
––V
– 20 µA
– 5 mA
– 5 mA
– 100 µA
Note 2. Pulsed through a 25mH inductor; 50% Duty Cycle.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE27 | Germanium PNP Transistor High Current / High Gain Amp | NTE |
| NTE270 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / Switch | NTE |
| NTE2708 | Integrated Circuit NMOS / 8K UV EPROM / 450ns | NTE |
| NTE271 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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